文国知简历
基本情况
文国知，男，1973年出生，博士，副教授，硕士生导师
教育经历
2014年毕业于华中科技大学电子系，获工学博士学位
工作经历
2006年7月加入武汉轻工大学电气与电子工程学院
主持科研项目
1、2015.12-2016.12，武汉轻工大学引进（培养）人才科研启动项目计划，基于碳化硅织构的硅量子点的制备及其光电性能研究；主持
2、2016.5-2018.5，湖北省教育厅科学研究项目：异质结太阳能电池量子点本征层的制备和微结构特性研究；主持
发表论文
1.Wen G., Zeng X., Liao W., et al. Crystallization mechanism of silicon quantum dots upon thermal annealing of hydrogenated amorphous Si-rich silicon carbide films[J]. Thin Solid Films.2014, SCI收录.
2. G. Wen, X. Zeng. Photoluminescence properties and crystallization of silicon quantum dots in hydrogenated amorphous Si-rich silicon carbide films[J], Journal of Applied Physics, 2015, SCI收录.
3. Wen G., Zeng X., and Li X. The Synthesis and Structural Properties of Crystalline Silicon Quantum Dots upon Thermal Annealing of Hydrogenated Amorphous Si-rich Silicon Carbide Films, Journal of electronic materials，2016, SCI收录
4.Wen G., Zeng X., and Li X. The influence of annealing temperature on the synthesis of silicon quantum dots embedded in hydrogenated amorphous Si-rich silicon carbide matrix. Journal of Non-crystalline Solids. 2016, SCI收录.
5. Wen G., Zeng X., and Li X. The influence of local Si-C bonding density on the photoluminescence of Si-QDs upon thermal annealing the hydrogenated amorphous Si-rich silicon carbide thin films, Journal of non-crystalline solids，2017, SCI收录
